Лаборатория физики полупроводников и диэлектриков была создана в 2001 году приказом Министерства Образования Азербайджанской Республики № 267/06. Основной целью лаборатории является получение и синтез комплексных полупроводниковых соединений с редкоземельными элементами и твердых растворов и разработка технологии выращивания монокристаллов, определение фундаментальных и характерных параметров, изучение явлений заряда и теплообмена, применение негатронных эффектов и выявление перспектив применения этих материалов.

В научно-исследовательской лаборатории осуществляются методы синтеза, очистки материалов, выращивание монокристаллов сплавов системы TlInS2 (Se2, Te2)-TlLnS2 (Se2, Te2) методом Бриджмана, подготовку образцов, необходимых для исследований.

За время деятельности лаборатории были изучены особенности структурообразования твердых растворов указанных систем, а также механизмы явлений заряда и теплообмена, определения электрических и тепловых свойств и свойств упругости.

Для этого проводятся следующие работы: разрабатывается технология синтеза сплавов системы TlInS2 (Se2, Te2)-TlLnS2 (Se2, Te2) и выращивания монокристаллов; проводится комплексное изучение физико-химических свойств в зависимости от количества лантоноидов в составе. Изучаются основные параметры полупроводников: удельная электропроводность, постоянная Холла, зависимость проводимости от температуры, исследуются коэффициенты линейного теплового расширения и изотермического сжатия, а также теплоемкость твердых растворов теплового воздействия TlIn1-xLnxSx(Se2,Te2), выявляются возможные области применения этих твердых растворов. По мере увеличения относительного числа атомов лантоноидов в твердых растворах корреляция между шириной ограниченных зон и эффективными массами плотностей корпуса становится все более распространенной.