В 1976 году на основе кафедр высшей математики и физики была создана одноимённая кафедра. С 1976 по 1990 год кафедру возглавлял проф.Э.М.Годжаев. В 1990-1996 годы её руководителем был доц.Э.Г.Мамедов. В 1996-2001 годы заведовал кафедрой проф.М.М.Зарбалиев.

На базе кафедры физики в 2002-ом году были созданы кафедры общей физики и теоретической физики. В 2004-ом году на базе этих кафедр были созданы 2 кафедры: электроники твердых тел и физики полупроводников. В 2014 году кафедра электроники твердых тел была переименована в физику твердых тел. На основании решения Ученого совета СГУ от 30.03.2017 года обе кафедры были объединены в одну под названием физика твердых тел и полупроводников. До структурных изменений кафедрой физики твердых тел руководил доц. Р.М.Исмаилов, а кафедрой физики полупроводников – проф. М.М. Зарбалиев. В настоящее время заведующим кафедрой является проф. М.М.Зарбалиев.

На кафедре работают 2 профессора, 7 кандидатов наук, доцентов, 3 ассистента, 6 человек учебно-вспомогательного персонала.

1. Зарбалиев М.М. –д.ф.м.н., проф.зав.кафедрой

2. Нуруллаев Юсиф Гушу оглу –д.ф.м.н., профессор

3. Мамедов Эльдар Гамза оглу -к.ф.м.н., доцент

4. Исмаилов Рамиз Мазахир оглу –к.ф.м.н., доцент

5. Байрамов Джошгун Джумшуд оглу –к.ф.м.н., доцент

6. Сардарова Наиля Захраб гызы -к.ф.м.н., доцент

7. Оруджев Самир Кямал оглу -к.ф.м.н., доцент

8. Алигулиева Хаяля Вагиф гызы -д.ф.п.ф., ст.преп.

9. Гулиева Гюльнара Гусейн гызы –д.ф.ф., доцент

10. Алескерова Дурдана Муртуза гызы -ассистент

11. Гулиева Кифаят Аждар гызы –ассистент

12. Гарибли Айсель Физули гызы –ассистент

13. Отарханова Гюллю Низами гызы –зав.лабораторией

14. Халилова Рубаба Джаваншир гызы –ст.лаборант

15. Абдулова Иззат Наджмеддин гызы –ст.лаборант

16. Гасанова Севда Рауф гызы –лаборант

17. Гурбаналиева Ульвия Гахад гызы –лаборант

18. Ибрагимова Афет Байрам гызы –препаратор

На кафедре научной работой занимаются диссертанты, докторанты и магистранты. Под руководством сотрудников кафедры научные диссертации защитили 5 докторантов, 2 диссертанта и более 50 магистрантов.

1. Атомная физика

2. Ядерная физика

3. Физика твердых тел

4. Физическая электроника

5. Квантовая электроника

6. Оптоэлектроника

7. Электроника твердых тел

8. Оптика

9. Астрономия

10. Астрофизика

11. Классическая механика

12. Электродинамика

13. Квантовая механика

14. Термодинамика и статистическая физика

15. Радиофизика

16. Строение вещества

17. Методы исследования практической физики

18. Физика полупроводников и диэлектриков

19. Физика наночастиц

20. Электронная теория полупроводников

21. Кинетические эффекты в полупроводниках

22. Квантовая физика

23. Оптическая и квантовая электроника

24. Квантовая теория.

1. овременные проблемы физики

2. История и методология физики

3. Электронная теория и кинетические явления полупроводников.

4. Физические основы электроники твёрдых тел

5. Полупроводниковые приборы

6. Микроэлектроника

7. Вакуумная и плазменная электроника

8. Физические основы электроники СВЧ

9. Оптическая и квантовая электроника

10. Материалы и элементы электронной техники

11. Методы исследования

12. Технология приборов электроники твердых тел.

13. Термоэлектрические холодильники

14. Теплотехника и техническая термодинамика

15. Физические основы оптоэлектроники

16. Электронная теория полупроводников

17. Кинетические явления в полупроводниках

18. Получение полупроводниковых материалов и технологии выращивания кристаллов

19. Гальваномагнитные и термомагнитные явления в полупроводниках.

20. Статистика носителей заряда и квантовая теория явлений перемещения в твердых телах.

21. Влияние внешних факторов на оптические свойства полупроводников.

22. Элементы кристаллографии.

23. Тепловые и эластические свойства полупроводников.

Основные научные направления кафедры: Получение и синтез сложных полупроводников и твердых растворов с редкоземельными элементами, разработка технологий выращивания монокристаллов, определение фундаментальных и характеристических параметров, исследование в них явлений перемещений заряда и тепла, тензометрических, оптических электрооптических и др. свойств,  негатронной эффективности и определение перспектив применения этих материалов.

Получение полупроводниковых соединений, применяемых в микроэлектронике, исследование их контактов, физико-химических свойств и их применение

Физика высоких энергий. Определение массы в произвольном значении гиперзарядов частиц.

1. Синтезированы твердые растворы TlIn1-xYbxTe2- (0≤x≤0,10) и выращены их монокристаллы.

2. Установлено, что твердые растворы TlIn1-xYbxTe2¬ обладают дырочной проницаемостью в виде сильно разорванного дырочного газа в исследованном интервале температур (80÷1000К). Удельная проводимость наблюдается при температурах T≥650K.

3. Характер температурной зависимости и объясняется наличием в исследуемом материале носителей заряда двух типов.

4. Начиная с х=0,05, при переходе от TlInTe2 к твердым растворам, полученным на его основе, сделан вывод, что сильное изменение температурной зависимости связано с переходом от полупроводника к указанному полупроводнику.

5. Предложенная модель полупроводника с одним (дырки) и двумя (электроны и дырки) носителями заряда, учитывающая рассеяние носителей заряда на центрах ионов, акустические и оптические фононы, дефекты хорошо объясняет термоэлектрические свойства.

7. Исследованы электропроводность и эффект Холла в монокристаллах p-CdxHg1-xTe (0,27  x  0,30) в интервале температур 77 - 300 К. Ширину запрещенной зоны Ег, концентрацию аддитивных уровней и энергию активации Еа определяли из зависимостей (Т) и Rx(Т) для исследуемых соединений. Установлено, что доминирующим механизмом рассеяния в рассматриваемом интервале температур является кулоновское рассеяние на кулоновском потенциале (на ионизированных добавках и дырках), а подвижность носителей заряда увеличивается с ростом температуры.

8. При уменьшении размера наночастиц ширина запрещенной зоны увеличивается с Eg=2,02 эВ до Eg=2,18 эВ. Квантовый эффект становится более выраженным, когда размер наноструктуры GaSe становится меньше D=10 нм. Температурная зависимость электропроводности наночастицы GaSe в диапазоне температур 200-300К имеет экспоненциальный характер.

Энергия активации носителей заряда рассчитывалась по наклону зависимости lg =f (1/T), Еа = 0,32 эВ.

9. Методом металлоорганической газофазной эпитаксии были выращены светодиодные слои с многослойными квантовыми дырками InGaN/GaN и получены из них синие светодиодные чипы. В результате исследования электролюминесценции полученных светодиодных чипов (x=0,156:y=0,216) были определены координаты цвета и доминирующая длина волны λd=451 нм.

Книга «Физика полупроводников», изданная М.М. Зарбалиевым в 2008 году, является учебником, отвечающим современным требованиям для студентов высших учебных заведений нашей республики. Его монографии «Методы определения электрофизических параметров полупроводников», «Практикум по физике полупроводников» (Э.Х. Мамедов и А.Б. Нагиев), «Вопросы физики» для студентов, обучающихся по программе «Темпус» (А.Б. Нагиев и Н.С. Сардарова), «Вопросы астрономии» (М.М. Зарбалиев, Э.Х. Мамедов, Т.Г. Джафаров), «Методы исследования экспериментальной физики» (М.М. Зарбалиев, Э.Х. Мамедов, Ф.Ф. Алиев) являются полезными и нужными учебными пособиями. Сотрудники отдела также проводят научно-исследовательские работы в направлении получения полупроводниковых соединений, которые могут найти применение в микроэлектронике, изучения их контактных, физико-химических свойств и областей применения. Для кафедры издано 6 учебных пособий, 4 методических пособия, 122 статьи, 38 силлабусов и 46 предметных программ.

Научные исследования, проводимые на факультете, многогранны. Институт физики НАНА, Институт фотоэлектроники, Бакинский государственный университет, Национальная академия авиации, Азербайджанский технический университет, Лаборатория физики магнитных материалов Научно-практического центра Национальной академии наук Республики Беларусь, Кафедра биофизики и Информационные технологии в медицине Бухарского государственного медицинского института Республики Узбекистан и расширяется сфера связей и взаимного сотрудничества с другими научными учреждениями.

Доц. Р.М.Исмаилов награжден международным дипломом как молодой ученый XXI века в 2003 году. В 2012 году Министерством образования АР, а в 2014 году Комитетом свободных профсоюзов работников образования он награжден Почетными грамотами. В 2021 году Р.М.Исмаилов награжден дипломом Сумгаитским государственным университетом за лучший учебник по результатам конкурса.

Доц. С.К.Оруджев в 2017 году награжден нагрудным знаком «Передовой работник образования АР» Министерства образования АР. В 2019 году был награжден дипломом İntek İSEF, а 2022 году получил Почетную грамоту Исполнительской власти Сумгаита.

Доц. С.С.Байрамов и доц. Н.С.Сардаров в 2022 году награждены нагрудным знаком «Передовой работник образования АР» Министерства образования АР.

Доц. Х.В.Алигулиева в 2022 году награждена Почетной грамотой АР, грамотой Международного форума «Новые проблемы в образовании», Почетной грамотой Исполнительской власти г Сумгаита за плодотворную научно-педагогическую деятельность, Государственным департаментом США за усчастие на курсах виртуального профессионального образования, дипломом Президента АР «Инновационная молодежь», организованном молодежным фондом «Каинат», стипендиями и дипломами Швейцарии для поддержки Фонда молодых ученых. Она стала победителем III грантового конкурса, выделенного Фондом развития науки для молодых исследователей, получила сертификат тренинга «Чистая комната», организованного Центром Унам Билькентского Университета Анкары.